消息称Groq正考虑在下一代芯片中采用3D堆叠DRAM封装技术

据ZDNET Korea，Groq正考虑将三维堆叠DRAM封装技术用于下一代芯片，以DRAM替代现有的SRAM。业内人士认为，此举可摆脱以SRAM为中心的芯片设计，大幅提升芯片容量；3D封装通过垂直堆叠半导体芯片，相较传统2D封装可减小芯片表面积并提高能效。