Groq考虑下一代芯片采用3D堆叠DRAM
事件专题观察中
Groq考虑下一代芯片采用3D堆叠DRAM
1 篇报道1 个报道来源1 天前更新
事件进展
当前归纳 1 个进展 · 收录 1 篇报道
报道增加不一定代表新进展，先看发生了什么，再核对出处。
- 1 篇相关报道消息称Groq正考虑在下一代芯片中采用3D堆叠DRAM封装技术
据ZDNET Korea，Groq正考虑将三维堆叠DRAM封装技术用于下一代芯片，以DRAM替代现有的SRAM。业内人士认为，此举可摆脱以SRAM为中心的芯片设计，大幅提升芯片容量；3D封装通过垂直堆叠半导体芯片，相较传统2D封装可减小芯片表面积并提高能效。
依据：格隆汇快讯 · 查看报道 ↗
先了解这件事
AI 综述
Groq正考虑在下一代芯片中采用3D堆叠DRAM，替代现有的SRAM设计；目前仍是考虑中的方案，并非已确认采用。 业内人士认为，这一调整可提高芯片容量；3D封装通过垂直堆叠芯片，相较传统2D封装可减小芯片表面积并提高能效。
AI 根据报道生成 · 6 小时前更新
最新进展10月21日 14:56
消息称Groq正考虑在下一代芯片中采用3D堆叠DRAM封装技术报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月21日
- 格隆汇快讯消息称Groq正考虑在下一代芯片中采用3D堆叠DRAM封装技术
据ZDNET Korea，Groq正考虑将三维堆叠DRAM封装技术用于下一代芯片，以DRAM替代现有的SRAM。业内人士认为，此举可摆脱以SRAM为中心的芯片设计，大幅提升芯片容量；3D封装通过垂直堆叠半导体芯片，相较传统2D封装可减小芯片表面积并提高能效。
本事件热度走势
根据本站已收录信源的参与情况计算，不代表全市场关注度。
- 可比范围当前
- 4
- 可比范围峰值
- 510月22日 17:00
- 近 24 小时变化
- –
0246
17:0018:0019:0020:0021:0022:0023:00
趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。