三星拟采用台积电制程生产基底裸片
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三星拟采用台积电制程生产基底裸片
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据《首尔经济日报》报道，三星电子接受英伟达要求，将采用台积电3纳米制程生产英伟达下一代定制HBM芯片的基底裸片。报道还称，三星计划继续自主生产标准HBM及面向其他客户的定制产品，并评估在台积电产能不足时由自有代工厂生产基底裸片的可能性。
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报道摘要
据《首尔经济日报》报道，三星电子接受英伟达要求，将采用台积电3纳米制程生产英伟达下一代定制HBM芯片的基底裸片。报道还称，三星计划继续自主生产标准HBM及面向其他客户的定制产品，并评估在台积电产能不足时由自有代工厂生产基底裸片的可能性。
摘自 格隆汇快讯
最新进展10月18日 19:56
韩媒：三星将采用台积电3纳米制程为英伟达生产定制HBM基底裸片报道时间线
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10月18日
- 格隆汇快讯韩媒：三星将采用台积电3纳米制程为英伟达生产定制HBM基底裸片
据《首尔经济日报》报道，三星电子接受英伟达要求，将采用台积电3纳米制程生产英伟达下一代定制HBM芯片的基底裸片。报道还称，三星计划继续自主生产标准HBM及面向其他客户的定制产品，并评估在台积电产能不足时由自有代工厂生产基底裸片的可能性。
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